集成运算放大器受辐射效应的研究

Numerical Simulation of Electron Cyclotron Resonance Plasma Characteristics

下载PDF

导出

摘要研究了集成运算放大器在γ辐射环境下的效应．发现经受一定剂量的γ辐射后，双极型集成运算放大器的Ｖｉｏ、Ｉｉｏ、ＩＢ＋、ＩＢ－等电参数明显增大，放大系数减小，停止辐射并经历一定条件的退火处理，这些电参数可以基本恢复．斩波式自动稳零型ＣＭＯＳ集成运算放大器抗γ辐射能力较强．集成运算放大器受γ辐射效应主要是电离损伤．

作者邹慰亲陈愿徐扬子黄学雄

机构地区广东民族学院电子工程系

出处《广东民族学院学报》 1996年第4期106-109,共4页

关键词集成运算放大器 Γ辐射退火电离损伤辐射效应电参数放大系数 electron cyclotron resonance, particle ions, fluid electron

分类号 TN722.77 [电子电信—电路与系统]

引文网络
相关文献

1王祖军,刘以农,陈伟,唐本奇,肖志刚,刘敏波,黄绍艳,张勇.质子辐照CCD诱发暗信号增大[J].清华大学学报（自然科学版）,2010,50(9):1484-1488. 被引量：3
2蒋涛.稳定的斩波式运算放大器[J].集成电路应用,1991,8(5):32-38.
3陆妩,任迪远,郭旗,余学锋,严荣良.CMOS 运算放大器的质子和 γ 辐照效应[J].核电子学与探测技术,1997,17(5):370-373. 被引量：5
4郁金南,王玉珠,等.CMOS器件在电子和光子辐照下的电离损伤和移位损伤计算[J].中国原子能科学研究院年报,1996(1):104-106.
5靳涛,奎热西,等.软X射线作用下的InP表面微结构[J].北京同步辐射装置年报,1997(1):119-120.
6高度可靠的高速CAN收发器系列[J].今日电子,2013(8):64-65.
7张林,肖剑,邱彦章,程鸿亮.Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管抗辐射特性的研究[J].物理学报,2011,60(5):545-549. 被引量：11
8楼滨乔,薛志华,刘美丽.HCMOS器件的γ辐射效应[J].北京大学学报（自然科学版）,1991,27(3):378-384.
9侯钢,程志昌.感性负载斩波式交流调压分析[J].电工技术杂志,1994(4):2-4.
10武秀谦.VIO DELAY-X延时器在电视直播中的应用[J].现代电视技术,2015(1):136-137. 被引量：1

广东民族学院学报

1996年第4期

浏览历史

内容加载中请稍等...

集成运算放大器受辐射效应的研究

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史