HL—1M装置内壁锂涂覆实验

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摘要 Li是原子序数最小的金属元素，具有非常活泼的化学活性，是最有希望的第一壁材料。TFTR装置经过锂化后提高了等离子体存储能量、中心离子温度和密度的峰化以及聚变反应速率，表明了原位锂化的巨大优越性。原位硅化已成为HL－1M装置常规壁处理手段，与此同时，HL－1M装置也正在探索先进的锂化工艺技术。本文介绍了HL－1M装置锂化技术的进展、锂化效果和锂化后的内壁状态以及目前锂化技术的不足。

作者王明旭张年满等

出处《核工业西南物理研究院年报》 1999年第1期41-42,共2页 Southwestern Institute of Physics Annual Report

关键词锂涂覆技术第一壁壁状态 HL-1M托卡马克装置内壁处理

分类号 TL631.24 [核科学技术—核技术及应用] TL621

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