GaN器件在军事领域中的应用被引量：1

原文传递

导出

摘要 GaN基半导体具有击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、介电常数小、热导率大、抗辐射能力强等优点,广泛应用军用电子器件的制造。介绍了GaN器件在军事雷达、探测器以及激光引信等军事领域中的应用。

作者杨贤军

机构地区柳州职业技术学院电子信息工程系

出处《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期93-94,共2页 Electronic Components And Materials

关键词 GAN 电子元件电子器件军事领域雷达探测器激光器

分类号 TN6 [电子电信—电路与系统]

引文网络
相关文献

参考文献1

1WANG G S,LU H,CHEN D J,et al.High quantum efficiency GaN-based p-i-n ultraviolet photodetectors prepared on patterned sapphire substrates[J].IEEE Photonics Technol Lett,2013,25(7):652-654. 被引量：1

同被引文献10

1张小玲,谢雪松,吕长治,李岩,李鹏,冯士维,李志国.AlGaN/GaN HEMT器件的高温特性[J].微电子学与计算机,2004,21(7):171-172. 被引量：4
2裴风丽,冯震,陈炳若.AlGaN/GaN HEMT欧姆接触的研究进展[J].半导体技术,2007,32(1):6-11. 被引量：4
3范隆,郝跃.辐射感生应力弛豫对Al_mGa_(1-m)N/GaN HEMT电学特性的影响[J].物理学报,2007,56(6):3393-3399. 被引量：3
4颜伟,韩伟华,张仁平,杜彦东,杨富华.AlGaN/GaN HEMT器件工艺的研究进展[J].微纳电子技术,2011,48(2):79-86. 被引量：4
5郝跃,薛军帅,张进成.Ⅲ族氮化物InAlN半导体异质结研究进展[J].中国科学：信息科学,2012,42(12):1577-1587. 被引量：6
6何欢,贺朝会,廖文龙,张家辉,臧航,柳文波.GaN中质子辐照损伤的分子动力学模拟研究[J].原子能科学技术,2019,53(6):1117-1121. 被引量：1
7李秾,金言,袁芳,郭丽君.第三代半导体器件专利分析[J].情报工程,2019,5(4):114-126. 被引量：10
8吕玲,林正兆,郭红霞,潘霄宇,严肖瑶.增强型AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件的质子辐照效应[J].现代应用物理,2021,12(2):86-92. 被引量：4
9Weijun LUO,Xiaojuan CHEN,Chengzhan LI,Xinyu LIU,Zhijing HE,Ke WEI,Xiaoxin LIANG,Xiaoliang WANG.High performance 1 mm AlGaN/GaN HEMT based on SiC substrate[J].Frontiers of Electrical and Electronic Engineering in China,2008,3(1):120-122. 被引量：2
10Omid Zeynali,Daryoush Masti,Maryam Nezafat,Alireza Mallahzadeh.Study of “Radiation Effects of Nuclear High Energy Particles” on Electronic Circuits and Methods to Reduce Its Destructive Effects[J].Journal of Modern Physics,2011,2(12):1567-1573. 被引量：2

引证文献1

1季启政,刘峻,杨铭,胡小锋,万发雨,刘尚合.AlGaN/GaN HEMT质子辐射效应研究进展[J].航天器环境工程,2022,39(4):436-445. 被引量：3

二级引证文献3

1季启政,王一凡,胡小锋,李兴冀,杨剑群,刘尚合.航天用氮化镓材料的研究进展[J].材料导报,2022,36(22):86-91. 被引量：1
2季启政,刘尚合,王志浩,杨铭,丁义刚,王思展,沈自才,刘宇明.GaN器件质子辐照与电场综合试验系统及方法[J].兵工学报,2023,44(6):1704-1712.
3季启政,刘峻,杨铭,马贵蕾,胡小锋,刘尚合.栅宽对AlGaN/GaN HEMTs亚阈值摆幅的影响[J].电子学报,2023,51(6):1486-1492.

1彭华.雷声公司军用雷达的发展——雷声公司战略与业务发展主管Arnie Victor访谈录[J].国际电子战,2012,0(5):33-33.
2旁观.日新月异的军事雷达[J].Newton-科学世界,1994(4):2-3.
3余振坤,张毅,刘晗.1kW宽带线性SiC功率放大器设计[J].现代雷达,2011,33(7):68-71. 被引量：2
4张方迪,张民,叶培大.一种GaN宽禁带功率放大器的设计[J].现代电子技术,2010,33(13):45-47. 被引量：7
5最新技术[J].家电科技,2013(7):18-18.
6黄中.用途广泛的微波[J].世界发明,2001,24(1):12-12.
7曾威.台湾三军雷达透析[J].海事大观,2006(5):70-72.
8顾立娟,郝玉保,王彬.基于脉冲多普勒气象雷达技术下的脉冲压缩技术研究[J].中国科技纵横,2014,0(24):21-21.
9曾威.台湾三军雷达面面观[J].世界航空航天博览（B版）,2004(01B):67-69.
10余振坤,郑新.SiC宽禁带功率器件在雷达发射机中的应用分析[J].微波学报,2007,23(3):61-65. 被引量：20

电子元件与材料

2014年第7期

浏览历史

内容加载中请稍等...

GaN器件在军事领域中的应用被引量：1

参考文献1

同被引文献10

引证文献1

二级引证文献3

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

GaN器件在军事领域中的应用 被引量：1

参考文献1

同被引文献10

引证文献1

二级引证文献3

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

GaN器件在军事领域中的应用被引量：1