基于外延层转移的GaAsPIN与Si异构集成技术
Heterogeneous Integration of GaAs PIN and Si by Epitaxial Layer Transfer Process
摘要
南京电子器件研究所采用外延层转移技术在国内率先开展了晶体管级异构集成方嘶的研究，并于2013年突破了超薄外延层的剥离技术、异质圆片的键合技术等异构集成关键技术，成功地将3um厚的76．2mm（3英寸）GaAs外延层薄膜完整地剥离并转移到Sj衬底上（如图1所示），
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第2期F0003-F0003,共1页
Research & Progress of SSE
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