摘要
建立了功率ＭＯＳ器件单粒子烧毁效应的等效电路模型和相应的参数提取方法， 对功率ＭＯＳ器件的输出特性和单粒子烧毁效应的机理进行了分析和ＰＳＰＩＣＥ模拟，模拟结果与文献中提供的数据相符合，表明所建立的器件模型和模拟方法是可靠的。
A new model is established to make simulation for Single Event Burnout of power MODFETs using PSPICE circuit simulation software. The application results have a very good agreement with the corresponding data in published articles.
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第6期422-427,共6页
Nuclear Electronics & Detection Technology
