两步硼扩散代替硼铝扩散的探讨被引量：1

A research for two—step B—diffusion taking the place of B—Al diffusion

下载PDF

导出

摘要本文介绍两步硼扩散工艺,它对改善台面功率晶体管的性能极有帮助. This paper introduces two steps B-diffusion technology, rt is very helpful to improve the properties of mesa power transistors.

作者孔德平

出处《电子器件》 CAS 1991年第3期48-49,共2页 Chinese Journal of Electron Devices

关键词硼扩散功率晶体管扩散工艺

分类号 TN323.405 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

同被引文献12

1黄岚,赵寿南,祝忠华,潘永雄.扩散应力的测量及消除[J].华南理工大学学报（自然科学版）,1994,22(1):11-16. 被引量：1
2王荣,尚世琦,杨学昌.硼扩散杂质分布研究[J].辽宁大学学报（自然科学版）,1994,21(2):38-43. 被引量：1
3黄腾超,沈亦兵,侯西云.二次硼离子热扩散制作微电阻[J].浙江大学学报（工学版）,2005,39(4):471-474. 被引量：2
4陈辉明,吴益良,向群.硼微晶玻璃源扩散在RCGTO中的应用[J].半导体技术,1995,11(1):41-43. 被引量：1
5王玉中,赵寿南,梁海生.硅扩散应力的理论分析[J].华南理工大学学报（自然科学版）,1995,23(12):38-45. 被引量：3
6罗江财.硅中扩散参数的分析和测定[J].半导体光电,1990,11(2):166-170. 被引量：1
7冀海英,申伸,张文成.半导体器件开管扩散工艺[J].原子能科学技术,1998,32(2):136-139. 被引量：1
8孙卯秋.硼微晶玻璃片状扩散源在肖特基二极管中的应用研究[J].山东电子,1999(1):36-37. 被引量：1
9高文钰,刘忠立,梁秀琴,于芳,聂纪平,李国花.硼扩散引起薄SiO_2栅介质的性能退化[J].电子学报,1999,27(8):144-144. 被引量：3
10陈辉明,吴益良,向群.硼微晶玻璃源扩散均匀性的研究[J].半导体技术,1991,7(2):36-38. 被引量：2

引证文献1

1王春梅.硅材料中硼杂质扩散综述[J].天津科技,2008,35(1):64-65. 被引量：1

二级引证文献1

1吴志明,张威,张宝锋,赵志然.太阳能电池片硼源扩散综述[J].电子工业专用设备,2019,48(1):8-10. 被引量：1

1肖兴阳,万积庆.深硼扩散工艺研究[J].半导体杂志,1990,15(3):34-35.
2孔德平,张学军.两步硼扩散代替硼铝扩散的探讨[J].上海半导体,1992(2):9-10.
3王荣,尚世琦,杨学昌.硼扩散杂质分布研究[J].辽宁大学学报（自然科学版）,1994,21(2):38-43. 被引量：1
4J.Nishizawa,K.Aoki,T.Akamine,钟煌煌.用分子层掺杂法进行硼的超浅重掺杂[J].微电子学与计算机,1992,9(8):48-48.
5李秀琼,王纯,马祥彬,杨军.辉光放电电子束掺杂硼浅结[J].Journal of Semiconductors,1992,13(7):448-452. 被引量：2
6A.Stolmeijer,刘道广(译).注入二氧化硅的硼/磷杂质分布的一般表达式[J].微电子学,1989,19(4):72-75.
7卢志恒,李素杰,张朝明,罗晏,张荟星.衬底预非晶化对低能硼注入硅形成浅结的影响[J].Journal of Semiconductors,1990,11(3):215-220. 被引量：1
8廖常庚,杨生胜,姜辉,汪永强,郑志豪.核反应产额曲线的模拟与非晶硅薄膜中硼的深度分布研究[J].核技术,1993,16(3):183-187.
9钱祥忠.硼轻掺杂对非晶硅薄膜光电性能的影响[J].光电子技术,2004,24(2):93-95. 被引量：2
10李小锋.平面低压降肖特基二极管外延氧化工艺[J].电子制作,2017,25(9):52-53. 被引量：1

电子器件

1991年第3期

浏览历史

内容加载中请稍等...

两步硼扩散代替硼铝扩散的探讨被引量：1

同被引文献12

引证文献1

二级引证文献1

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

两步硼扩散代替硼铝扩散的探讨 被引量：1

同被引文献12

引证文献1

二级引证文献1

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

两步硼扩散代替硼铝扩散的探讨被引量：1