期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
Vishay推出低耗高效的新款TMBS整流器
下载PDF
职称材料
导出
摘要
Vishay Intertechnology,Inc.日前宣布,推出12款电流等级从6A至20A的新型45V、60V和100V器件,扩大其TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。该器件具有极低的正向压降,采用表面贴装TO-252(DPAK)封装。
出处
《中国集成电路》
2013年第9期7-7,共1页
China lntegrated Circuit
关键词
肖特基整流器
低耗
电流等级
正向压降
表面贴装
商业应用
INC
MOS
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
引文网络
相关文献
节点文献
二级参考文献
0
参考文献
0
共引文献
0
同被引文献
0
引证文献
0
二级引证文献
0
1
Vishay大幅扩充E系列650V N沟道功率MOSFET家族[J]
.电子设计工程,2013,21(12):163-163.
2
Vishay新款TMBS~整流器减少功率损耗并提高效率[J]
.电子设计工程,2013,21(16):157-157.
3
Vishay推出用于通信电源的170VTMBS整流器[J]
.电信工程技术与标准化,2012,25(10):72-72.
4
Vishay推出用于通信电源的170V TMBS@整流器[J]
.电子设计工程,2012,20(21):14-14.
5
Vishay推出用于通信电源的170VTMBS~整流器[J]
.中国集成电路,2012,21(11):76-76.
6
Vishay的17款新器件扩充600VN沟道功率MOSFET系列[J]
.电子设计工程,2012,20(21):111-111.
7
Vishay推出用于汽车和其他领域的新款45V和50V TMBS整流器[J]
.电子设计工程,2014,22(4):87-87.
8
600V和650VMOSFET提高了可靠性并减小封装电感[J]
.今日电子,2016,0(8):66-66.
9
采用低损耗IGBT为次级2.5kW逆变器应用提升开关性能[J]
.电子与电脑,2008(4):51-52.
10
Ulrich Nicolai,Tobias Reimann,李毅,魏宇浩.
现代功率模块及器件应用技术(4)[J]
.电源技术应用,2005,8(4):60-64.
中国集成电路
2013年 第9期
职称评审材料打包下载
相关作者
内容加载中请稍等...
相关机构
内容加载中请稍等...
相关主题
内容加载中请稍等...
浏览历史
内容加载中请稍等...
;
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部