摘要
采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料的形貌(形状、尺寸、密度、尺寸分布均匀性等).分析了不同衬底、不同生长源配比、生长源与衬底的不同接触时间等生长条件参数对GaSb量子点生长的影响.研究表明在GaAs衬底上、富镓生长源配比以及较短的生长源和衬底接触时间下更易获得高质量的GaSb量子点.上述生长条件的摸索和研究对于GaSb量子点器件应用具有重要意义.
The results on the growth of GaSb quantum dots （QDs） by liquid phase epitaxy （LPE） were reported. The dot Morphology in term of size, shape, density and uniform was studied by atomic force microscopy （AFM）. The effects of growth conditions such as substrate, melt composition, and melt-substrate contact time on the morphology of GaSb QDS were investigated. It was found that it＇ s easier to get high quality GaSh QDs in condition of GaAs suhstrate, Ga-rich melt and shorter of contact time.
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期220-224,共5页
Journal of Infrared and Millimeter Waves
基金
国家自然基金(61274139)
上海市创新专项基金(11DZ1140500)
上海市自然基金(12ZR1435500)~~
