C离子注入Si中Si_(1-x)C_x合金的形成及其稳定性被引量：2

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摘要利用离子注入和高温退火的方法在Ｓｉ中生长了Ｃ含量为０．６％～１．０％的Ｓｉ１－ｘＣｘ合金，研究了不同注入剂量下Ｓｉ１－ｘＣｘ合金的形成及其在退火过程中的稳定性。如果注入剂量小于引起Ｓｉ非晶化的剂量，８５０℃退火后，注入产生的损伤缺陷容易与Ｃ原子结合形成缺陷团簇，难于形成Ｓｉ１－ｘＣｘ合金，随着注入Ｃ离子剂量的增大，注入产生的损伤增强，容易形成Ｓｉ１－ｘＣｘ合金，但注入的剂量增大到一定程度，Ｓｉ１－

作者王引书李晋闽王玉田孙国胜林兰英金运范

机构地区北京师范大学物理系中国科学院半导体研究所中国科学院近代物理研究所

出处《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第16期1709-1713,共5页 Chinese Science Bulletin

关键词离子注入稳定性高温退火硅碳硅碳合金形成

分类号 TG174.444 [金属学及工艺—金属表面处理]

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