事件相关电位(P3)与记忆功能关系初探被引量：11

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摘要目的　探讨事件相关电位 (P3)与记忆功能可能存在的关系。方法　对 60名正常人分别检测事件相关电位 (P3) (潜伏期、波幅和临床记忆量表 ,采用Spearman相关性分析软件进行分析。结果　P3的潜伏期 (FZ ,CZ记录点 )与记忆商呈显著性负相关 ,相关系数分别为- 0 .40 4 0和 - 0 .41 35 ,P3的波幅与记忆商相关性无统计学差异。

作者彭斌李舜伟汤晓芙叶健

机构地区中国医学科学院中国协和医科大学北京协和医院神经科

出处《中国神经精神疾病杂志》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期305-306,共2页 Chinese Journal of Nervous and Mental Diseases

关键词记忆功能诱发电位事件相关电位

分类号 R338 [医药卫生—人体生理学]

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