摘要
对InGaN量子阱LED的内量子效率进行了优化研究。分别对发光光谱、量子阱中的载流子浓度、能带分布、静电场和内量子效应进行了理论分析。对具有不同量子阱数量的InGaN/GaN LED进行了理论数值比对研究。研究结果表明,对于传统结构的LED而言,2个量子阱的结构相对于5个和7个量子阱具有更好的光学性能。同时还研究了具有三角形量子阱结构的LED,研究结果显示,三角形多量子阱结构具有较高的电致发光强度、更高的内量子效率和更好的发光效率,所有的优点都归因于较高的电子-空穴波函数重叠率和低的Stark效应所产生的较高的载流子输入效率和复合发光效率。
The internal quantum efficiency（IQE） of InGaN quantum wells（QWs） light-emitting diodes（LEDs） is numerically investigated,which involved its emission spectra,carrier concentrations,energy band,electrostatic field and internal quantum efficiency.Optical properties of InGaN/GaN LEDs with varied QW numbers are numerically studied.The results reveal that,for the LEDs with conventional rectangular shaped QWs,two quantum wells（2-QWs） units structure has better optical performance than 5-QWs and 7-QWs structures.The advantages of nitride-based LEDs with triangular shaped InGaN/GaN multiple quantum wells（MQWs） are also discussed.The simulation results indicate that the triangular shaped MQW LEDs exhibit a higher electrical luminescence（EL） intensity,higher IQE and a stronger light-output power than the conventional rectangular MQW LEDs.All the advantages are due to the higher carrier injection efficiency and recombination rate which are caused by the higher electron-hole wave function overlap,and small quantum confined stark effect（QCSE）.
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期66-72,共7页
Chinese Journal of Luminescence
基金
国家自然科学基金(61176043)
广东省战略性新兴产业专项资金(2010A081002005,2011A081301003)
广东省教育部产学研结合项目(2010B090400192)资助项目
关键词
发光二极管
三角形量子阱
数值模拟
light-emitting diodes
triangular shaped quantum well
numerical simulation
