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贮存电荷对非线性逻辑门开关通断速度的影响

Effect of Store Charge on the Nonlinear Transistor Switch Vilocity
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摘要 从Ebers-Moll方程组出发,建立在矩形脉冲激励下的BJT反相器的非线性耦合微分方程.介绍了MATH程序语言在求解逻辑门开关电路的非线性耦合微分方程中的具体应用.说明中性区和空间电荷层内贮存电荷对逻辑门开关速度的影响. An application of MATH on deducing the nonlinear coupling differential equations of the BJT-Not gate, which is stimulated by rectangle pulse signal and is developed from Ebers-Moll equations is presented. The effect of storage charge on the nonlinear transistor switch vilocity in neutrality section and charge tier space are also disscussed.
作者 郭愉生
出处 《江汉大学学报》 2000年第3期62-68,共7页 Journal of Jianghan University
关键词 逻辑门开关 非线性 通断速度 贮存电荷 E-M模型 Ebers-Moll model charge control equation storage time extended
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