摘要
本文报道了用MBE技术生长的n-p-n HBT用的优质AlGaAs/GaAs单层及多层结构。掺Sin型GaAs掺杂浓度为1.8×10^(14)～1.2×10^(19)cm^(-3),纯度GaAs77K下,n=1.8×10^(14)cm^(-3),μ_(77)=8.47×10~4cm/V.s。深入研究了Be反扩散所引起的E-B结和B-C结偏位的抑制。并给出了用该材料研制出的HBT单管(β=50,f_T=7.5GHz,在2GHz下,G=13dB)和NTL及CML倒相器逻辑单元电路(其中NTL在电流电压2V下,逻辑摆幅为20mV)的结果。
出处
《半导体情报》
1991年第6期7-10,共4页
Semiconductor Information
基金
国家"七五"科技攻关项目
中国科学院重大项目资助
