如何克服大功率激光器和高注入功率引起的光纤非线性制约
出处
《世界有线电视信息》
2000年第5期86-89,共4页
International Cable TV Information
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1肖志雄,魏同立.低温高注入硅双极晶体管电流增益和特征频率的定量模拟[J].Journal of Semiconductors,1997,18(1):42-49.
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2肖志雄,郑茳.低温下硅双极晶体管基区高注入禁带变窄效应[J].东南大学学报（自然科学版）,1993,23(6):59-63.
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3郑茳,肖志雄,吴金,魏同立.硅浅杂质能级的低温陷阱效应[J].应用科学学报,1996,14(1):73-77.
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4肖志雄,魏同立.低温高注入硅双极晶体管电流增益的定量模拟[J].电子学报,1996,24(5):83-86.
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5任大翠,杨进华,杜宝勋,杜震霖.异质结构对半导体激光器输出特性的影响[J].长春光学精密机械学院学报,2000,23(1):1-3.
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6王刚,陆生礼.一种高注入效率红外焦平面读出电路采样单元的设计[J].电子器件,2009,32(2):351-353. 被引量：3
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7刘木林,闵秋应,叶志清.硅衬底InGaN/GaN基蓝光发光二极管droop效应的研究[J].物理学报,2012,61(17):559-563. 被引量：4
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8胡良均,陈涌海,叶小玲,王占国.离子注入法Mn掺杂InAs/GaAs量子点的光磁性质[J].Journal of Semiconductors,2007,28(z1):84-87.
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9管婕,翟阳,闫大为,罗俊,肖少庆,顾晓峰.组份渐变电子阻挡层对InGaN/GaN LED光电特性的影响[J].微电子学,2016,46(5):711-715. 被引量：1
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10胡黎明,李再金,秦莉,杨晔,王烨,刘云,王冰冰,王立军.大功率无铝量子阱半导体激光阵列特性[J].中国激光,2010,37(2):379-384. 被引量：3
