摘要
借助半导体仿真软件Silvaco,仿真一种具有结终端扩展(JTE)结构的碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)。其机理是通过JTE结构降低肖特基结边缘的电场集中效应,从而优化肖特基二极管的反向耐压能力。研究JTE区深度、宽度及掺杂浓度对碳化硅肖特基二极管的反向耐压的影响。通过优化结终端结构的结构参数使碳化硅肖特基二极管的反向耐压特性达到更好的性能要求。
The characteristics of silicon carbide（SiC） Schottky barrier diodes（SBD） with junction terminal expanded（JTE） structure are studied by simulation with Silvaco′s tools.The electric field at the edge of the diodes is reduced by the JTE structure,and the reverse breakdown voltage is increased significantly.The relationship between breakdown voltage and the depth,the width and the doping concentration of the JTE is investigated.Optimized parameters for the SiC SBD with JTE are proposed to achieve better performance.
出处
《现代电子技术》
2012年第9期170-172,共3页
Modern Electronics Technique
基金
贵州省工业公关项目(黔科合GY字[2009]3026号)
贵州省重点实验室能力建设项目(黔科合计Z字[2010]4006)
关键词
碳化硅
肖特基二极管
Silvaco
结终端扩展结构
silicon carbide（SiC）
Schottky barrier diodes（SBD）
Silvaco
junction terminal expand（JTE）
