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Influence of Impurity Doping and γ-Irradiation on the Optical Properties of Layered GaSe Crystals 被引量:1

Influence of Impurity Doping and γ-Irradiation on the Optical Properties of Layered GaSe Crystals
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出处 《材料科学与工程(中英文B版)》 2012年第2期91-102,共12页 Journal of Materials Science and Engineering B
关键词 晶体表面 硒化镓 非掺杂 光学性质 电子显微镜 辐射 光致发光 晶体掺杂 GaSe, layered crystals,γ-quantum, semiconductor sensor.
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