SiC等薄膜发光器件的制备工艺

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摘要一、发明提要本发明的目的有三:一是提供一种在电场或低能电子、x—射线、UV、IR 以及可见光的激发下能够发射高强度可见光的新型发光元件;二是提供一种能够克服原有的诸如 CVD、涂复以及均匀 CVD 等的工艺缺点,在低温下制备出上述高发射强度发光元件的新型工艺;三是提供一种用低电压驱动并能获得高发光亮度的电致发光器件。本发明所提供的发光元件制作工艺。

作者郑永成

出处《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第Z1期76-81,共6页 Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays

关键词发光器件 SIC 电压驱动发射强度薄膜结构涂复超细微粒发光亮度发光层沉积膜

分类号 TN141.9 [电子电信—物理电子学]

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