第二类InAs/GaSb(001)半导体超晶格的电子结构

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摘要采用一种新的赝势方法计算了第二类InAs/Gasb超晶格能带边结构随InAs和Gasb层厚变化的规律.结果证明:随着InAs和GaSb层厚的变化,超晶格中杂质将经历不同的深-浅杂质态转变规律.同时我们还得到超晶格发生半导体-半金属转变的区域.

作者缪静琪龙飞刘申之梅飞

机构地区江西师大物理学系江西师大计算中心

出处《厦门大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期67-69,共3页 Journal of Xiamen University：Natural Science

基金江西省自然科学基金

关键词赝势超晶格能隙

分类号 N55 [自然科学总论]

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厦门大学学报（自然科学版）

1993年第S2期

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