激光辐照NTD—Si形成P—N结的研究

The P-N Junction Formation of NTD Silicon by Laser and Investigation of There Properties

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摘要本文扼要阐述了用CO_2辖续激光辐照NTD—St生成P—N结的具体过程与条件并根据实际数据对其生成机理作了合理分析。 In This paper,we present a new method to make The P--N Junetion in NTD silicon and inverstigation the electrical properties,such as,conductance tyne,sheet vesistance,Voctage--current characteristic. in order to illustrate above result we persent a model.

作者王永瑜徐克服董秘刚

机构地区西北大学物理系山西师大物理系

出处《山西师范大学学报（自然科学版）》 1993年第1期25-27,共3页 Journal of Shanxi Normal University(Natural Science Edition)

关键词激光中了媗变掺杂电子一空穴结辐照掺杂 Laser a P—n junction radiate dope

分类号 N [自然科学总论]

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1993年第1期

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