摘要
研究了常关型SiC双极模式结型场效应晶体管(BJFET)的工作机理并建立了数值模型.仿真结果表明SiCBJFET的双极工作模式可以有效的降低器件的开态电阻,折中器件的正反向特性而不增加工艺难度.仿真结果还表明SiCBJFET的双极工作模式会延长器件的开关时间.
The operational mechanism of normally-off type bipolar-mode SiC junction field effect transistor（BJFET） is studied by using a two-dimensional numerical model.Compared with the unipolar-mode SiC JFET,the bipolar-mode can reduce the on-state resistor of the SiC JFET effectively and compromise between the on-state and off-state characteristic of the device.The simulation resluts also show that switching time of BJFET increases remarkably.
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第10期608-611,共4页
Acta Physica Sinica
基金
西安市科技计划(批准号:No.CXY1012)
中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:CHD2010JC054)资助的课题~~
