摘要
20世纪90年代,作为硅基光电子学的一个主导发展方向,硅基低维发光材料的研究取得了一系列重要进展。一方面,硅基超晶格、量子阱以及多孔硅的研究不断深化,具有潜在的发展优势。另一方面,由各种成膜技术形成的各种纳米晶硅薄膜、硅基纳米微粒以及由自组织生长方法制备的硅基量子点的研究崭露头角,亦呈现出良好的发展势头。本文综合评述了各类硅基低维材料在发光特性方面的研究进展。
出处
《自然杂志》
1999年第6期319-321,322,共4页
Chinese Journal of Nature
关键词
硅基异质结
光致发光特性
硅基低维材料
Si-based heterojunction, light-emitting porous silicon, Si-based quantum dots, photoluminescence
