在AlxGa1—xN上生长GaN量子点
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1陈鹏,沈波,王牧,周玉刚,陈志忠,臧岚,刘小勇,黄振春,郑有,闵乃本,杭寅.MOCVD 两步生长法制备 GaN 量子点[J].高技术通讯,1998,8(6):5-8. 被引量：3
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2王三胜,顾彪,徐茵,徐久军,秦福文,杨大智.ECR-PEMOCVD法在GaAs(001)衬底上制备GaN量子点[J].半导体光电,2002,23(2):114-117.
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3蔡琳,吕燕伍.Ga_(1-x)Al_xN/GaN量子点红外吸收谱[J].北京交通大学学报,2005,29(3):13-16.
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