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硅基非致冷热释电红外焦平面阵列技术的新进展被引量：1

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摘要文章主要介绍硅基非致热释电红外焦平面阵列典型结构，制备工艺以及最新进展。

作者程开富

机构地区重庆光电技术研究所

出处《四川真空》 1999年第2期31-35,共5页

关键词红外探测器红外焦平面阵列热释电器件 PIRD

分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]

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四川真空

1999年第2期

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