摘要
本文在分析了单粒子烧毁(Single Event Burnout,SEB)物理机制及相应仿真模型的基础上,首先研究了无缓冲层MOSFET准静态击穿特性曲线,明确了影响器件抗SEB能力的参数及决定因素。之后仿真研究了单缓冲层结构MOSFET,表明低掺杂缓冲层可以提高器件负阻转折临界电流,高掺杂缓冲层可以改善器件二次击穿电,据此提出变掺杂缓冲层结构,仿真了其准静态击穿特性,并与单缓冲层和三缓冲层结构进行了比较,结果显示,变掺杂缓冲层结构是各种缓冲层结构中最优的一种。具体优化结果与缓冲厚度和浓度分布有关。优化缓冲层厚度和掺杂浓度,可在导通特性和抗SEB之间达到最佳折衷。
出处
《电力电子》
2011年第3期44-46,55,共4页
Power Electronics
