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20nm制程技术:新纳米制程技术
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摘要
英特尔公司和美光科技公司针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm制程技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元(MLC)NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘(SSD)等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其他数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。
出处
《世界电子元器件》
2011年第5期33-33,共1页
Global Electronics China
关键词
制程技术
纳米
NAND闪存
美光科技公司
闪存设备
英特尔公司
智能手机
平板电脑
分类号
TP332 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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1
英特尔、美光联手推出25nm NAND闪存[J]
.微电脑世界,2010(3):20-20.
2
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3
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4
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5
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.世界电子元器件,2006(1).
6
25纳米技术NAND闪存问世[J]
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7
英特尔、美光联手推出25nmNAND[J]
.电子与电脑,2010,10(3):90-90.
8
英特尔、美光联手推出25纳米NAND[J]
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9
新存储技术将面世比现有技术快千倍[J]
.网络运维与管理,2015,0(9):85-85.
10
英特尔与美光科技公司试制成功业内首个50nm NAND闪存设备样品[J]
.电子与电脑,2006(9):129-129.
世界电子元器件
2011年 第5期
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