等离子体源离子植入中的关键问题

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摘要等离子体源离子植入（ＰＳＩＩ）是一项用于材料表面改性的可按比例增大的非视线方法，本文中，我们研究了在ＰＳＩＩ大规模商用应解决的三个重要问题，它们是：（１）植入保形性；（２）离子源和（３）级电子发射，为了确保复杂形状物体上的均匀的植入剂量，离子鞘层厚度必须足够小，这个标准对离子源和脉冲电源提出了要求，至今，另一个局限是除了Ｂ，Ｃ，Ｎ和Ｏ外其他类型离子的可用性。

作者 Rej.,DJ 思虹

出处《国外核聚变与等离子体应用》 1999年第3期72-80,共9页

关键词等离子体源离子植入离子源胞中粒子计算

分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学] TG156.8 [金属学及工艺—热处理]

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国外核聚变与等离子体应用

1999年第3期

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