摘要
用MEVVA离子源将Nd离子注入到单晶硅中形成了钕硅掺杂层，用XRD分析了掺杂居的物相，用AES分析了掺杂层中离子的浓度分布．分析表明，在强流钛离子注入后，掺杂层中有硅化物形成，且形成相的种类随注量、束流密度及后续热处理条件的改变而变化．还对钕硅化物的形成过程进行了初步讨论．
Nd ions are implanted into single silicon to form a doped layer. Ion implantation is performed by MEVVA ion sough. The phases of the doped layer are determined by XRD. AES is used to analyze the distribution of the implanted ions. Result indicated that there are Nd silicides formed in the implanted layer. The kinds of silicides vary with ion dose, ion flux and post- annealing conditions. A mechanism for silicide formation is presented.
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期200-203,共4页
Journal of Beijing Normal University(Natural Science)
基金
国家自然科学基金!59501004
教育部射线束与材料工程开发实验室基金
