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S波段功率模块研制 被引量:1

Development of SBand Power Module
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摘要 介绍了一种全部采用国产管芯、基片、材料研制的硅S波段功率模块。该模块具有带宽性能好、增益高、输出功率大、可靠性高、静态电流低、体积小、重量轻、输入输出为50Ω及采用全芯片组装等特点。 This paper introduces a kind of Sband Si power module.In the course that the power module was reseached and produced,all cores of the transistors,basic chips and materials were produced by our country.The characteristics of this power module are good funtion of broadband,high gain,large output power,high reliability,low static current,small volume,light weight,50 impedance of input and output and that all chips were organized.
机构地区 电子十三所
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期24-25,29,共3页 Semiconductor Technology
关键词 功率模块 芯片组装 微波半导体器件 Power moduleMicrowaveChips organizedSi
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