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新型白光LED制备研究获新进展
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摘要
据媒体报道,近日,中科院上海光学精密机械研究所承担的“新型GaN基LED荧光衬底一掺质铝酸盐晶体生长与性能研究”项目通过验收。该项目通过优化生长工艺,制备出了稀土离子或过渡金属离子掺杂的MgA16O10、ScAlMgO4单晶,在新型荧光衬底发光结构的白光LED制备上形成一条新的技术路线。
作者
潘雄
出处
《功能材料信息》
2010年第5期99-99,共1页
Functional Materials Information
关键词
白光LED
制备
上海光学精密机械研究所
GAN基LED
金属离子掺杂
晶体生长
生长工艺
稀土离子
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
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功能材料信息
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