摘要
提出一种ＦＬＯＴＯＸＥ２ＰＲＯＭ存储管的电流—电压模型，模型的模拟结果和实验结果相吻合，该模型为精确设计和利用Ｅ２ＰＲＯＭ单元提供了理论基础。
Inthispaper,aFLOTOXE2PROMIVmodelispresented.Thesimulationresultsofthismodelfitthetestresultswell,sothismodelcanprovidethetheoreticalbasisfordesigningandusingE2PROMcells.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期163-166,共4页
Research & Progress of SSE
基金
江苏省青年科技基金
