期刊文献+

立方氮化硼单晶——金刚石薄膜异质P—N结 被引量:5

下载PDF
导出
摘要 本文在Si掺杂N型片状立方氮化硼单晶(111)面上利用热灯丝化学汽相沉积方法生长了掺B的P型金刚石薄膜,从而制得了立方氮化硼单晶-金刚石薄膜异质P-N结,测试了该P-N结的V-A特性,结果表明其整流特性良好。
出处 《超硬材料与工程》 1999年第2期7-9,共3页
  • 相关文献

同被引文献7

  • 1Wentorf R H.Sythesis of the Cubic Form of Boron Nitride[J].J Chem phys,1961,34:809. 被引量:1
  • 2Mishima O,Tanaka J,Yamaoka S,et al.High-Temperature Cubic Boron Nitride P-N Junction Diode Made at High Pressure[J].Science,1987,238:181-183. 被引量:1
  • 3Tomikawa T,Nishibayashi Y,Shikata S.P-N Junction Diode by B-Doped Diamond Heteroepitaxially Grown on Si-Doped c-BN[J].Diamond and Relat Mater,1994,3:1398. 被引量:1
  • 4Bello I,Chong Y M,Leung K M,et al.Cubic Boron Nitride Films for Industrial Applications[J].Diamond Relat Mater,2005,14:1784-1790. 被引量:1
  • 5Sato T,Hiraok H,Endo T.Effect of Oxygen on the Growth of Cubic Boron Nitride Using Mg3N2 as Catalyst[J].J Materials Sci,1981,16:2227. 被引量:1
  • 6Singal S K,Park J K.Synthesis of Cubic Boron Nitride from Amorphous Boron Nitride Containing Oxide Impurity Using Mg-Al Alloy Catalyst Solvent[J].J Crystal Growth,2004,260:217-557. 被引量:1
  • 7朱品文,赵永年,邹广田,何志.用气相沉积方法在低气压下制备BN的高压相:E-BN、c-BN、w-BN[J].高压物理学报,2000,14(2):111-114. 被引量:3

引证文献5

二级引证文献2

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部