摘要
近年来,随着工艺的不断进步,硅基集成电路已突破了仅适用于数字电路和低频模拟电路的传统观念,迅速拓展到毫米波甚至亚毫米波频段。在未来10年内,硅基工艺将具备覆盖毫米波频段的能力,并在部分器件与系统上实现到亚毫米波频段或太赫兹的跨越。我国在该领域起步稍晚,但在国家重点基础研究发展计划("973"计划)、国家高技术研究发展计划("863"计划)和自然科学基金等的支持下,已快速开展研究并取得进展。文中概要介绍了国际上在硅基毫米波亚毫米波集成电路与系统方面的研究背景和我国特别是东南大学毫米波国家重点实验室在CMOS毫米波亚毫米波集成电路方面的最新研究进展。
Recent years,the working frequency of CMOS integrated circuits（ICs） is rapidly extending to millimeter wave even submillimeter wave frequency bands,which break through the traditional concept that the CMOS process is only capable of digital circuits and low frequency analog circuits.In the coming ten years,it could be predicted that the CMOS ICs will be practicable over millimeter wave band and partially applicable in submillimeter or terahertz band.In China,some research advances in CMOS millimeter wave and submillimeter wave ICs have been achieved under the support from National Basic Research Program（＂973＂ Program） of China,the National High Technology Research and Development Program（＂863＂ Program） of China and Nature Science Foundation of China（NSFC）.In this paper,we will summarily review the state of arts in CMOS millimeter wave and submillimeter wave ICs,especially the new progress in the State Key Laboratory of Millimeter Waves.
出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2010年第4期1-6,共6页
Journal of Microwaves
基金
国家重点基础研究发展计划(973)项目(2010CB327400)
国家自然科学基金委创新群体项目(60921063)
