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恒忆Omneo相变存储器提升写入性能和耐写次数
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摘要
恒忆Omneo存储器支持字节修改功能,执行写操作无需再擦除大数据区块,从而使数据处理和软件编程变得更容易,让工程师和设计人员简化软件开发任务,提升系统性能,其写入速度有望达到现有闪存的300倍。Omneo P5Q的耐写次数达100万次,可写数据的量次是闪存的10倍。
作者
单祥茹
机构地区
《中国电子商情》编辑部
出处
《中国电子商情》
2010年第6期35-36,共2页
China Electronic Market
关键词
存储器
相变
性能
通信设备
嵌入式应用
消费电子
简易性
分类号
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
引文网络
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9
刘霞.
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10
Gina.
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中国电子商情
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