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恒忆Omneo相变存储器提升写入性能和耐写次数

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摘要 恒忆Omneo存储器支持字节修改功能,执行写操作无需再擦除大数据区块,从而使数据处理和软件编程变得更容易,让工程师和设计人员简化软件开发任务,提升系统性能,其写入速度有望达到现有闪存的300倍。Omneo P5Q的耐写次数达100万次,可写数据的量次是闪存的10倍。
作者 单祥茹
出处 《中国电子商情》 2010年第6期35-36,共2页 China Electronic Market
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