短波区注入式半导体激光器

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摘要１短波激光器问题可见波段的ＧａＡｓＰ半导体激光器于１９６２年与ＧａＡｓ激光器同时出现［２７］。第一批样品（扩散同质结）用电流泵浦时在红辐射区（～７００ｎｍ）工作。最好的结果在激活介质ＡｌＩｎＧａＰ异质结构上得到，工作在６２０ｎｍ区（室温极限波长为６１...

作者白光罗山

出处《激光与光电子学进展》 CSCD 1999年第2期11-14,共4页 Laser & Optoelectronics Progress

关键词注入式半导体激光器短波区

激光与光电子学进展

1999年第2期

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