低位错InSb单晶生长
-
1杨友文,朱文斌,李天应,马东明,陈东.InSb纳米线阵列的可控制备与光谱表征[J].高等学校化学学报,2014,35(3):466-470. 被引量:2
-
2毕淑和.MgxCd1—xSe单晶生长和特性[J].电子材料快报,1998(3):9-10.
-
3Sutopo.Phase Equilibria in the System in-Ni-Sb at 450 ℃[J].材料科学与工程(中英文B版),2011,1(1):106-112.
-
4刘慧英,侯柱锋,朱梓忠,黄美纯,杨勇.InSb的Li替位形成能的从头计算[J].高等学校化学学报,2004,25(8):1521-1524. 被引量:3
-
5Gh.Sareminia,F.Zahedi,Sh.Eminov,Ar.Karamian.Cleaning method of InSb [111] B of n-InSb [111] A/B for the growth of epitaxial layers by liquid phase epitaxy[J].Journal of Semiconductors,2011,32(5):146-148.
-
6张材荣,陈宏善,陈玉红,冯旺军,许广济.(AB)_8(AB=BN, AlP, GaAs, InSb)团簇环状结构与性质的密度泛函理论研究[J].无机化学学报,2006,22(6):1038-1042. 被引量:1
-
7李建.Electronic structure of(InSb)_m/(HgTe)_n short period superlattices[J].Journal of Semiconductors,2014,35(3):1-4.
-
8王立民,刘振刚,董守义,于美燕,郝霄鹏,崔得良,徐现刚,王琪珑.Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用[J].人工晶体学报,2002,31(4):350-353.
-
9周剑峰,许长辉,赵世峰,时钟涛,宋风麒,韩民.规则锑化铟团簇颗粒的制备[J].原子与分子物理学报,2006,23(B04):149-152.
-
10刘慧英,蔡娜丽,朱梓忠.基于第一原理的Li嵌入路径的计算机模拟[J].吉林大学学报(信息科学版),2005,23(6):664-669. 被引量:1
;