摘要
利用磷光敏化和BCP的空穴阻挡作用,制备了结构为:ITO/2T-NATA(15nm)/NPBX(20nm)/rubrene(0.2nm)/NPBX(5nm)/CBP∶6%Ir(ppy)3∶15%ADN(30nm)/BCP(10nm)/Alq3(25nm)/LiF(0.5nm)/Al的有机白光器件。器件在电压为7V的情况下,最大发光效率达到5.80cd/A,在12V的电压下最大亮度达12395cd/m2,色坐标为(0.30,0.30),接近白光等能点(0.33,0.33),比非敏化器件最大发光效率3.10cd/A(7V)和最大亮度10390cd/m2(12V)及非敏化不加空穴阻挡层BCP的器件最大发光效率2.13cd/A(8V)和最大亮度8852cd/m2(12V)的性能提高很多。
White organic light-emitting devices（WOLEDs）, with the structure of ITO/2T- NATA（15 nm）/NPBX（20 nm）/rubrene（0.2 nm）/NPBX（5 nm）/CBP： 6% Ir（ppy）3： 15 %ADN （30 nm）/BCP（10 nm）/Alq3 （25 nm）/LiF（0. 5 nm）/Al, are fabricated by using phosphorescence sensitizer and hole-blocking layer. The devices show the maximum luminous efficiency of 5.80 cd/A at the applied voltage of 7 V and the highest brightness of 12 395 cd/m2 at the applied voltage of 12 V, with the commission international De L＇Eclairage （CIE） coordinates of （0. 30, 0. 30） ,which is very close to the equal-energy white point （0.33, 0.33）. The maximum luminous efficiency and the highest brightness of no-sensitizered devices are 3.10 cd/A（7 V） and 10 390 cd/ m2（12 V） respectively, while the two parameters for the devices with no sensitizer or hole- blocking layer are 2.13 cd/A（7 V） and 8 852 cd/m2 （12 V） respectively. The great improvements in performance are proved bv the experimental results.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期38-41,共4页
Semiconductor Optoelectronics
基金
国家青年基金项目(10804036)
吉林省科技发展计划项目(20050523
20080528)
吉林省教育厅科研计划项目(吉教科合字[2003]第25号
吉教科合字[2004]第54号
吉教科合字[2009]第192号)
关键词
有机电致发光
敏化
空穴阻挡层
性能
OLED
sensitizer
hole-blocking layer
performance of devices
