表面平滑性出色的功率半导体用SiC外延晶圆
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期1142-1142,共1页
Bulletin of the Chinese Ceramic Society
-
1表面平滑性出色的功率半导体用SiC外延晶圆[J].现代材料动态,2010(3):22-23.
-
2季建平.昭和电工开始量产并销售功率半导体用6英寸SiC外延晶圆[J].半导体信息,2013(5):10-10.
-
3昭和电工进军蓝色LED市场[J].稀土信息,2004,10(12):37-37.
-
4文汉.半导体用高纯度药品[J].电子材料（机电部）,1991(11):8-10.
-
5李文洙.半导体用气的性质及其使用的注意事项[J].低温与特气,1983,1(1):65-71.
-
6奠铭.半导体用超薄介质膜的生长和特性[J].微电子学,1992,22(2):62-69.
-
7半导体用化学药品[J].山东半导体技术,1993(2):68-86.
-
8郑承献.半导体用化学品[J].化工时刊,1992(2):12-16.
-
9徐京生.半导体用化学药品[J].化工新型材料,1991,19(6):17-22.
-
10贾磊.昭和电工开发耐高温(300℃)SiC半导体基板[J].无机盐工业,2016,48(10):15-15.
;
