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HgCdTe注入过程温度特性研究 被引量:1

A Study for the HgCdTe Temperature Characteristic in the Ion Implantation Process
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摘要 参照Si的电导率与杂质能级热激发的关系,提出了一种新的微型温度计。它可以测量HgCdTe注入过程中温度变化,精度为±0.1℃。实验表明注入靶流I=5μA,注入能量E=150keV为宜。
出处 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1998年第5期301-304,共4页 Laser & Infrared
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参考文献1

  • 1刘恩科编..半导体物理学[M].北京:科学出版社,1984:292.

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引证文献1

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