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铟-桑色素体系吸附溶出伏安法研究 被引量:2

Adsorptive Stripping Voltammetry of Indium(Ⅲ)-Morin System
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摘要 对In(Ⅲ)-桑色素(morin)配合物在悬汞电极上的吸附伏安特性作了研究,确定了电极过程。在ClCH2COOH底液中,有桑色素存在下,用1.5次微分吸附伏安法测定铟,线性范围和检测下限分别为3.5×10-10~1.5×10-7mol/L和5×10-11mol/L。用此法测定了氢氧化铝、银粉和铅粉样品中的痕量铟,结果满意。 A sensitive voltammetric determination of trace indium is described based on the adsorptive characteristics of indium(Ⅲ) complexed with 2′,3,4′,5,7pentahydroxyflavone(morin)at a hanging mercurydrop electrode(HMDE).The experimental results show that the detection limit and the linear range of 1.5th order derivative linear sweep voltammetry in ClCH 2COOH NaOHmorin system are 5.0×10 -11 mol/L and 3.5×10 -10 ~1.5×10 -7 mol/L respectively.The method is applied to the determination of indium in aluminium hydroxide,silver and lead powder samples.The electrochemical behaviour of the indium complex at the HMDE is also investigated.
出处 《山东建材学院学报》 1998年第3期217-219,共3页 Journal of Shandong Institute of Building Materials
关键词 吸附溶出伏安法 桑色素 极谱分析 adsorptive stripping voltammetry indium morin
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