摘要
用质子核磁共振（1HNMR）方法对等离子体化学气相淀积非晶氢化氮化硅薄膜（PECVD－α－SiNx：H）进行测量，分析膜中H的含量和分布与淀积温度、射频功率等工艺条件的关系，以及退火的影响。
Using proton nuclear magnetic menance (1H NMR) to detemine plasma - chem italvapour - deposited amorphous hydrogenated silicon nitride (PECVD a - SiNx:H) films, the effects of deposition temperature, rf power and annealing temperature on the hydrogen density and microstructure of α - SiNx: H are analyed.
出处
《华东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期40-47,共8页
Journal of East China Normal University(Natural Science)
基金
国家自然科学基金!19374023
