摘要
PSMN1R2—25YL是一款N通道、导通电阻低于1mQ的25VMOSFET产品，采用Power—S08（LFPAK）封装时25VMOSFET的导通电阻是0．9mΩ（典型值），30VMOSFET的导通电阻达到1．0mΩ（典型值），是目前采用Power-SO8N装（无损耗封装：LFPAK）中拥有最低导通电阻的MOSFET。该MOSFET基于Trench6硅技术，可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势，如电源0Rring、电机控制和高效同步降压器等。
出处
《今日电子》
2009年第8期75-75,共1页
Electronic Products
