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三星开发出4Gbit DDR3规格的DRAM

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摘要 韩旧三星电子开发出了4Gbit DDR3规格的DRAM。新产品采用50nm工艺技术,设想用于服务器用16GB Registered DIMM(RDIMM)、工作站或台式机(PC)用8GB UDIMM(unbuffered DIMM)、以及笔记本PC用8GB SO-DIMM(small outline DIMM)等模块上。
出处 《机电工程技术》 2009年第2期10-10,共1页 Mechanical & Electrical Engineering Technology
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