摘要
通过实验研究了紫外激光切割晶圆的工艺,测得不同激光功率和切割速度下的切割深度和切缝宽度,分析了各参数对切割深度及切割质量的影响,对存在的问题提出了改进的意见及方法,为实际应用中参数的选择和工艺的改进提供了参考。并依用户要求对晶圆样品进行实际切割,经用户鉴定达到了使用要求。
Study the techniques of cutting silicon wafer by UV laser. Measure the cutting width and depth under different power and speed. Analyse the influence of each parameter on cutting depth, cutting speed and cutting quality. Put forward some suggestions for improvement in the application. The quality of cutting the wafers meets the user＇s requirement.
出处
《电子工艺技术》
2009年第1期37-40,52,共5页
Electronics Process Technology
