期刊文献+

电子二次倍增饱和现象和抑制措施 被引量:3

下载PDF
导出
摘要 文章针对金属和介质两种电子二次倍增典型现象,运用功率损耗的解析表达式,分析两种饱和现象的不同饱和机制,由此说明在这两种情况下影响二次电子倍增的因素不同,抑制措施也不同。
出处 《空间电子技术》 2008年第4期36-40,共5页 Space Electronic Technology
  • 相关文献

参考文献4

  • 1[2]Kishek R A and Lau Y Y.Interactions of muhipactor and RF circuit.Plasma Science,1996.IEEE Conference Record 被引量:1
  • 2[3]Lau Y Y and Kishek R A.Multipactor discharge on a dielectric.Plasma Scienee,1998.25th Anniversary.IEEE Conference Record-Abstgraets 被引量:1
  • 3[4]Ang Lay-Kee,Lau Y Y,Kishek R A and Gilgenbach R M.Power deposited on a dielectric by multipactor.IEEE Transactions on Plasma Science,Vol.26,No.3,June 1998 被引量:1
  • 4[6]Rodney J,Vaugh M.Multipaetor.IEEE Tmns.on Electron Devices,Vol.35,No.7:1172~1180.1988 被引量:1

同被引文献21

引证文献3

二级引证文献22

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部