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日本理研等开发出高载流子迁移率的液晶性有机半导体

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摘要 日本理化学研究所、东京大学和高亮度光科学研究中心(JASRI)成功开发出了载流子迁移率为0.27cm^2/Vs,比此前的最高值还要高10倍的液晶性有机半导体。在室温下呈柔软状态的液晶有机半导体,具有容易制作大面积薄膜的加工成形特性,但与结晶性材料相比,也存在着电子传输特性较差的问题。在进行分子结构设计时,东大的研究小组选用了与叶绿素结构类似的“缩环卟啉铜复合体”有机分子。
出处 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期115-115,共1页 New Chemical Materials
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