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负载开关的发展概况

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摘要功率MOSFET是一种具有良好开关特性的器件：导通时其导通电阻RDS（ON）很小,在关断时其漏电流IDSS很小。另外，它的耐压范围很宽，从几十V到几百V，漏极电源范围宽，从几A到几十A，所以非常适合作负载开关。

作者方佩敏

机构地区北京航空航天大学

出处《今日电子》 2008年第C00期67-70,共4页 Electronic Products

关键词负载开关发展概况功率MOSFET RDS(ON) 导通电阻开关特性 IDSS 漏电流

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TP334.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]

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今日电子

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