摘要
“尽管45nm及以下技术节点的铜互连技术已经相对成熟，但是仍需要继续研发新的材料和新的工艺以满足器件方面更高的需要。”来自Novellus的Dr．Bob Havemann在5月28日举办的第五届铜互连及相关技术国际研讨会上讲到，“超低k值的介电材料、更薄的低电阻率的阻挡层，以及低缺陷率的CMP研磨剂都是未来几年内铜互连最有希望的改变点，尽管这种改变可能只是微小的、渐进式的改变。”
出处
《电子工业专用设备》
2008年第6期60-60,共1页
Equipment for Electronic Products Manufacturing
