摘要
设计了一个以钝化层厚度和耗尽层厚度为参数的简单模型,描述硅光电二极管的工作原理。在137Cs-661 keV的均匀高能γ场中,对AXUV-100G型硅光电二极管进行标定。并且将试验标定曲线与国外标定曲线进行对比,分析后发现用这种方法标定的探测器精度与国外标定精度接近。同时推导出利用这种半导体探测器测量低能X射线光子注量的计算公式。
A simple model has benn developed to describe working principle of a silicon photodiode using thickness of the passivation and depletion layers as parameters. The AXUV-100 silicon photodiode was calibrated with ^137Cs 661 keV γ-ray. The calibrated curve agrees well with the abroad calibrated curve. A formula can be applied to calculate fluence of low-energy X-ray photons impinging on this kind of silicon photodiode.
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期352-355,共4页
Nuclear Techniques
基金
教育部,高等学校博士学科点专项科研基金(20040616014)资助
关键词
硅光电二极管
耗尽层
钝化层
标定技术
光子注量
Silicon photodiode, Depletion layer, Passivation layer, Calibration techniques, Photon fluence
