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采用新STrip FET技术的功率MOSFET

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摘要该功率MOSFET适用于DC-DC转换器。新产品采用独有的最新版STripFET制造技术，拥有极低的导通损耗和开关损耗，在一个典型的稳压模块内，两种损耗的减少可达3W，新产品实现了极低的品质因数。

出处《今日电子》 2008年第4期121-121,共1页 Electronic Products

关键词功率MOSFET 制造技术 DC-DC转换器开关损耗导通损耗稳压模块品质因数产品

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学] TM42 [电气工程—电器]

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今日电子

2008年第4期

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