摘要
采用0.35μm SiGe BiCMOS工艺实现了双极型晶体管和场效应管结合结构(BiFET结构)的宽带低噪声放大器。电路的输入端采用切比雪夫带通滤波器实现了宽频带范围的阻抗匹配。版图设计的仿真结果表明,在2～3GHz的频带范围内,该低噪声放大器的噪声系数为2.2～2.7dB,增益为20～22.7dB,输入端反射系数为-17～-12dB。
A 0. 35 μm SiGe BiCMOS broadband Low-noise Amplifier （LNA） is presented,which is based on a configuration of Bipolar cascoded with MOSFET （BiFET configuration）. The Chebychev band-pass filter is employed to fulfill wide-band input impendence matching. The post-layout simulation results show that the LNA exhibits a noise figure of 2.2-2.7 dB, a power gain of 20-22.7 dB and an input reflection coefficient of -17--12 dB at 2-3 GHz frequency range.
出处
《电子器件》
CAS
2008年第2期596-599,共4页
Chinese Journal of Electron Devices
基金
新世纪人才支持计划(NCET-05-0464)
江苏省自然科学基金(BK2006069)资助项目
